大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品(一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币pǐn)问题隐患造(一美元等于多少美分,美元和美分的符号，一美元等于多少钱的人民币zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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