大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(h50g是几两 50g是一两吗àn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)50g是几两 50g是一两吗备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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