大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江(jiān48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗g)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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