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建发集团是国企还是央企 建发员工有编制吗

建发集团是国企还是央企 建发员工有编制吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn),影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全,是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推建发集团是国企还是央企 建发员工有编制吗进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu),也是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降,至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē),确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析,如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(x建发集团是国企还是央企 建发员工有编制吗ū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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