大家好，来(lái)看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架strong>存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。