大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)海明威为什么要结束自己的生命，海明威为何结束生命国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品海明威为什么要结束自己的生命，海明威为何结束生命服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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