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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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