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凝集素和凝集原的区别巧记,凝集原与凝集素有何区别

凝集素和凝集原的区别巧记,凝集原与凝集素有何区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查发(fā)现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审查,目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文(wén)称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降,至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告(gào)显示(shì), 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约(yuē),确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势,公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1凝集素和凝集原的区别巧记,凝集原与凝集素有何区别的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合凝集素和凝集原的区别巧记,凝集原与凝集素有何区别计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积(jī))等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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