大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。嘴巴含胸的感觉知乎，嘴巴含胸的感觉如乎rong>为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波嘴巴含胸的感觉知乎，嘴巴含胸的感觉如乎龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)嘴巴含胸的感觉知乎，嘴巴含胸的感觉如乎署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。