大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)<大学几乎都开过房，大学谈恋爱的都开过房吗span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>大学几乎都开过房，大学谈恋爱的都开过房吗险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数大学几乎都开过房，大学谈恋爱的都开过房吗据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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