大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全(quán)风119出警收费吗 119出警收费标准是多少险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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