大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(y中国人口第一大省，中国人口第一大省排名ào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产中国人口第一大省，中国人口第一大省排名(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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