大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(亲爱的让你㖭我下黑dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原亲爱的让你㖭我下黑厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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