大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yu不积跬步到底读gui还是kui，日积跬步以至千里是啥意思ē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生不积跬步到底读gui还是kui，日积跬步以至千里是啥意思产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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