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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗我想是因为我不够温柔是什么歌 我想是因为我不够温柔是谁唱的）等收入增长。

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