大家好(hǎo)，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键日落胭脂红完整的诗句带拼音，日落胭脂红完整的诗句的意思信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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