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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全在职教育是什么意思，补充在职是什么意思(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光在职教育是什么意思，补充在职是什么意思、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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