大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāntan1等于多少，tan1等于多少兀g)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要tan1等于多少，tan1等于多少兀存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dtan1等于多少，tan1等于多少兀ào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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