大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光陈睿怎么了，b站陈睿事件是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、陈睿怎么了，b站陈睿事件合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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