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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng忝列门墙是什么意思，有幸忝列是什么意思)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1X忝列门墙是什么意思，有幸忝列是什么意思nm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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