大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出大冤种什么意思，大冤种是骂人吗不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

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　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制(大冤种什么意思，大冤种是骂人吗zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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