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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(ycos180°是多少，cos180度等于多少ī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自cos180°是多cos180°是多少，cos180度等于多少少，cos180度等于多少(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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