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珂润护肤品属于什么档次,珂润护肤品适合什么年龄

珂润护肤品属于什么档次,珂润护肤品适合什么年龄 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

  据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn),对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规,我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá),目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江珂润护肤品属于什么档次,珂润护肤品适合什么年龄波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商,采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析(xī),如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān),设备国(guó)产化进程(chéng)加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升(shēng),以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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