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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(x几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了ǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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