大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键物理中n与kg,g怎么换算的，物理的n和kg怎么转化(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销(xi物理中n与kg,g怎么换算的，物理的n和kg怎么转化āo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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