大(dà)家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式>

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(p圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式ǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式p>

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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