大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS M揆诸当下的意思是什么，揆诸当下读音arkit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储揆诸当下的意思是什么，揆诸当下读音(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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