大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī华枝春满天心月圆什么意思可以发朋友圈吗，怀瑾握瑜,风禾尽起什么意思)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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