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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)晋m是山西哪里的车审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。<晋m是山西哪里的车span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>晋m是山西哪里的车

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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